比利时Imec突破AI内存瓶颈：3D CCD技术或重塑数据中心存储
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2026-05-19 16:32:56
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5月12日，比利时研究机构Imec发布了一种新型3DCCD内存架构，旨在结合DRAM的高速度和NAND闪存的存储密度，以提升AI推理性能。该架构通过垂直堆叠内存芯片来缩短数据传输路径和提高集成密度，实验室条件下电荷传输速度超过4GHz，有助于减少AI推理任务的等待时间，降低内存成本。
研究人员为了降低漏电并支持更高密度的3D集成，采用了IGZO材料（铟镓锌氧化物），这种材料在电子迁移率、能效和光学透明性方面优于传统硅材料，适合作为高密度堆叠结构中的电荷传输层。尽管IGZO材料展现出实验优势，但3DCCD技术目前仍处于概念验证阶段，尚未大规模量产。
3DCCD技术面临的主要挑战包括散热表现和层数扩展能力。如果这些问题得不到解决，该架构难以替代现有的主流内存方案。短期内，3DCCD技术不太可能出现在数据中心服务器中。
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