丰田 bZ5 借罗姆 SiC MOSFET 提升续航
创始人
2025-07-07 22:13:33
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丰田 bZ5 电动汽车采用罗姆 SiC MOSFET 技术，极大提升了续航能力。SiC 材料具有低损耗、高开关频率等优势，能有效降低能量损耗，提高能量转换效率。在相同电池容量下，该技术可减少能量在传输过程中的浪费，从而增加车辆的续航里程。罗姆的 SiC MOSFET 技术为丰田 bZ5 提供了更高效的电力控制，使其在行驶中能更充分地利用电池能量，有效解决了电动汽车续航焦虑问题，为用户带来更长久的出行体验。
7月7日，日本半导体制造商罗姆（ROHM）宣布，其第四代SiC MOSFET裸芯片的功率模块已成功应用于丰田汽车公司面向中国市场的全新跨界纯电动汽车bZ5的牵引逆变器中。这一合作项目由罗姆与中方合作伙伴正海集团的合资企业上海海姆希科半导体有限公司负责量产供货，其中SiC MOSFET为核心的罗姆功率解决方案为bZ5的续航里程和性能提供了重要保障。
丰田bZ5这款SUV的低配版本续航能力可达550km，而高配版本则实现了630km的续航表现。该车型采用前驱设计，电机最大功率为200kW，目前已开始陆续交付。罗姆正在加速推进SiC功率元器件的研发进程，计划于今年完成下一代（即第五代）SiC MOSFET的生产线建设，并提前布局第六代和第七代产品的市场投放规划。
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